多晶硅薄膜电子束法制备的研究

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多晶硅薄膜作为薄膜太阳能电池的理想材料,它既具有晶体硅优良的电学特性,又有非晶硅成本低、可以大面积制备等优点且没有光致衰减问题。因此,多晶硅薄膜的制备技术是光伏产业中被研究的热点之一。 本文对国内外多晶硅薄膜制备的研究现状进行了较全面的介绍与分析,根据课题前期调研结果并结合实验室的软硬件资源,研究了多晶硅薄膜的生长机理、电子束法制备、特性分析与测试等几个方面。 本文研究的多晶硅薄膜是在传统的电子束热蒸发物理气相沉积法的基础上通过结合晶体生长理论改进制备而得,因此本论文对实验室的光学真空镀膜机进行相应的设备改造,搭建用于电子束蒸发法沉积多晶硅薄膜的特殊实验平台。多晶硅薄膜具有的结晶情况与物理形貌是通过沉积过程中的对各项参数进行控制的而得来,本论文在制备技术研究方面主要研究各项沉积参数对多晶硅薄膜生长情况的影响。研究内容主要包括:(1)研究衬底材料对多晶硅薄膜生长情况的影响。(2)研究衬底温度对多晶硅薄膜生长情况的影响。(3)研究薄膜厚度对多晶硅薄膜生长情况的影响。(4)研究其他工艺参数(包括蒸发速率等)对多晶硅薄膜生长情况的影响。 通过使用电子扫描显微镜来对多晶硅薄膜的表面形貌进行表征,使用X射线衍射谱与激光拉曼光谱来分析多晶硅薄膜的结晶情况。通过对不同样品测试结果的对比与分析,得出电子束热蒸发法制备多晶硅薄膜的工艺参数与多晶硅薄膜成膜特性的关系,并总结出电子束热蒸发法制备多晶硅薄膜的经验。
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