中子射线照相技术是一种优越的无损检测技术,在含氢材料、重金属组件等的无损检测中是X射线等其它射线检测技术的有益补充。冷中子照相是中子照相技术的分支,利用冷中子与部分晶体材料作用截面存在布拉格吸收限的性质,使得冷中子照相具有许多其他能量中子照相所不具备的优点。近年来冷中子照相技术发展迅速,成为各国研究的热点。冷中子照相装置一般包括冷中子源,准直系统及成像系统等部分。由于冷源的限制,国内至今没有冷中子照相装置投入使用(中国工程物理研究院拟在其冷源上建立冷中子照相装置,目前正处于初步设计阶段)。国内对冷中子照相技术的研究主要为数值模拟研究,然而以往的模拟研究中往往把穿透样品后的中子强度空间分布作为模拟计算的成像结果,而未考虑成像系统中各组件对图像质量的影响。本文以由荧光屏、反射镜、透镜镜头及CCD芯片为主要组件的成像系统作为研究对象,研究其仿真分析方法。本文通过建立冷中子荧光屏的仿真分析模型,得出了冷中子荧光屏的点扩散函数,并分析了荧光屏参数对成像质量的影响,实现了中子束穿透荧光屏后光强分布的仿真计算；对成像系统中反射镜、透镜镜头以及CCD芯片等组件进行了仿真分析,完成了冷中子照相最终成像图像的仿真计算。利用已有实验数据对所建立的冷中子照相装置成像系统仿真分析方法进行了初步校验,验证了其正确性。根据论文研究结果为中物院拟建冷中子照相装置成像系统提供了初步设计参数。论文工作推动了冷中子照相模拟研究技术的发展,为中物院拟建冷中子照相装置的初步设计提供了技术参考,也可以为将来冷中子照相技术应用中对特定样品的检测进行可行性分析提供重要技术手段。