本文首先介绍了几种典型的低维半导体结构，然后针对时下研究热点石墨烯进行讨论。我们从理论上研究了嵌入不同结构线缺陷的石墨烯量子线中的电子输运问题。在研究介观体系中的电子输运性质时，必须要揭示量子相干图像，其实质是研究体系中由量子相干引起的Fano效应。本文采用非平衡态格林函数方法，应用Fortran语言进行编程，利用Origin软件作图，对嵌入不同排列线缺陷的石墨烯纳米条带的电子输运性质进行了系统的研究，并得到了一些有意义的结果。首先，在不同长度的Armchair型石墨烯纳米条带中嵌入5-5-8型线缺陷，这种线缺陷是由两个五边形和一个八边形周期性交替堆叠而成的。在纳米条带中嵌入线缺陷会产生Fano效应和连续的束缚态。我们观察纳米条带的长度，线缺陷的宽度、数量、相对位置的改变所导致的电子输运性质的变化。当线缺陷在Armchair型石墨烯纳米条带中移动时，在Dirac点附近线缺陷形成一个很强的局域态，此时可以将纳米条带看作是量子点。其次，我们在纳米条带中嵌入一种新型的线缺陷，这种线缺陷是由五角形和七角形周期性交替堆叠而成的。通过数据分析得到嵌有新型线缺陷破坏了石墨烯纳米条带的电子在导带区的输运性质。在石墨烯纳米条带中嵌入特殊型线缺陷，对于电子的输运性质的影响不是单一的，既可以增强电子的输运能力，又可以使材料发生反共振现象令其电导值为零。Fano反共振的性质与Armchair型石墨烯纳米条带的宽度有关。嵌入的线缺陷的位置发生变化时，也影响了电子的输运性质。最后，我们选用一种特殊型的线缺陷进行研究，这种线缺陷是两种不同结构的缺陷按不同的比例组合成的。我们观察两种缺陷的组成比例发生变化及其位置的变化对电子输运性质的影响，能够看出电子的输运有强烈的振荡现象。这种新型结构的线缺陷对电子的输运性质作用很复杂，总体上增强了电子的输运。