金属卤化物钙钛矿是近几年来倍受关注的一类半导体材料,它具有卓越的光电性能,如超强的光吸收能力,超长的光生载流子寿命及载流子扩散长度,使其在太阳能电池、高分辨率显示、发光二极管等方面有着出众的应用。另一方面,这种材料的发光峰的半峰宽非常窄(在20 nm左右),发出的光纯度高,单色性好,也是一种性能优异的激光增益材料。本论文基于前人的研究成果,结合成熟的硅腐蚀工艺,将钙钛矿量子点作为激光的增益介质,设计出了具有阵列式倒金字塔结构的钙钛矿激光器。论文设计了掩膜口径为2μm周期为4μm、掩膜口径为3μm周期为4μm、掩膜口径为3μm周期为5μm的三种阵列尺寸,通过对单抛面100硅片进行电子束曝光与各向异性湿法腐蚀,并控制腐蚀时间、腐蚀温度、腐蚀液浓度,得到的腐蚀深度分别为1.895μm、2.441μm、2.325μm,成功地制备出形状规则的阵列式倒金字塔结构。然后将该结构作为模板,通过电子束热蒸镀技术蒸镀一层250 nm厚的银膜作为介质层,再用低速旋涂法将热注射法合成好的无机钙钛矿量子点涂敷在硅片表面,并用胶带撕掉倒金字塔结构以外的钙钛矿量子点,这样就制备出了阵列式倒金字塔钙钛矿微片。最后,搭建受激辐射的光路并测试样品,就可以探讨不同尺寸的阵列式倒金字塔钙钛矿微片的受激辐射特性。通过这种方法产生的激发光的半峰宽为7 nm,品质因子Q为75.1,激发阈值为37.6μJ/cm~2。我们可进一步优化结构的尺寸与间距,从而设计出阈值更低、半峰宽更窄的钙钛矿激光。