【摘 要】
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该文从实验和理论两方面对利用塞曼效应实现半导体激光器稳频进行了研究,初步估计短期稳定度达到10数量级.利用塞曼效应稳频是一种无调制稳频方式,在应用于半导体激光器稳频
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该文从实验和理论两方面对利用塞曼效应实现半导体激光器稳频进行了研究,初步估计短期稳定度达到10<-11>数量级.利用塞曼效应稳频是一种无调制稳频方式,在应用于半导体激光器稳频方面是一种较新的方法,这种方法由于无人为引入的频率扰动,所以具有较好的稳频前景.在实验中,采用Cs原子D<2>线为频率标准,结合原子的饱和吸收光谱技术,对稳频的各项条件和参数进行了较为系统的研究,并实现了半导体激光器在Cs原子6<2>S<,1/2>F=4到6<2>P<,3/2>F=4,5交叉线和F=3,4交叉线跃迁频率上的稳频.该文对Cs原子超精细能级结构的塞曼分裂和纵向磁场中的饱和吸收谱进行了理论计算,得到了粒子数方程近似下,不同磁场和不同强度抽运光对饱和吸收谱的影响,计算结果与实验结果能很好吻合.
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