掺杂VO<,x>薄膜制备及其性能研究

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【摘要】

：

VO2是一种具有广泛用途的热致相变材料,在68℃时发生半导体-金属相变,由低温单斜结构变为高温四方金红石结构,并伴随发生光、电、磁等性能的可逆性突变。第一章简要介绍了VO2的晶体结构及类型,VOk薄膜的应用以及常见的VOk薄膜制备方法,概述了VO2薄膜作为一种新型薄膜材料的应用前景。第二章介绍了磁控溅射镀膜的机理和工艺特点,直流磁控溅射制备掺杂与未掺杂VOk薄膜的实验过程,以及实验中用到的薄膜表征

【作者】

：

邵林飞

【机构】

：

合肥工业大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

VO_x薄膜磁控溅射 VO_x/TiO_x双层膜钨掺杂电阻-温度系数光学透过率

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