随着微波通信技术的高速发展,太赫兹技术越来越受到人们的重视,它在安保医疗等方面的重要应用促使人们投入大量精力到太赫兹技术研究中去。本文设计了一种基于硅基SMIC 0.13um CMOS工艺的太赫兹信号发生源。太赫兹信号发生源包括两个重要组成部分:振荡器以及倍频器。这种信号发生源具有低成本、小体积、高集成、便于携带等优点,并且可以实现稳定的信号输出。振荡器采用环形振荡器结构,并且通过设计在片U型共地共面波导结构,获得损耗小、具有高品质因数的等效电感,提高振荡器性能。基于经典振荡器理论,本文所设计的环形振荡器改进了电感结构实现方式,使得电路的损耗更小,能够在更高的频率上稳定振荡输出。本文所设计的环形振荡器输出频率稳定在55GHz,功耗为22mW左右。倍频器采用两阴极接地二极管并联的平衡倍频器结构,在硅基CMOS工艺下能够有效提高输出功率。本文所设计的倍频器的非线性器件为肖特基势垒二极管,硅基CMOS工艺下的肖特基二极管所占的面积更小,有更大阴极接触面积,降低了串联阻值,这些增加了阴极到衬底的容值,由此带来的不可忽略的衬底阻抗使得在CMOS设计中使用串联结构设计倍频器是很困难的。为了克服以上缺点,本文所设计的倍频器采用两阴极接地二极管并联的平衡倍频器结构,实现二倍频的输出功率达到2dBm。