为了利用磁控溅射技术制备多组元薄膜材料,并有效地调控薄膜组份,采用低频与高频组合、射频与甚高频组合驱动的双频双靶磁控溅射技术成为可能的途径之一。但是,目前双靶磁控溅射主要采用直流和射频驱动的双靶、脉冲直流和射频驱动的双靶或两个相同射频驱动的双靶共溅射技术,缺乏更高频率组合的双频磁控溅射技术。为了发展低频与高频组合、射频与甚高频组合驱动的双频磁控溅射,本文采用2MHz、13.56 MHz、27.12 MHz和60 MHz功率源相互组合形成双频磁控溅射系统,通过拒斥场能量分析技术和Langmuir探针技术,研究了双频磁控溅射和ICP增强的双频磁控溅射等离子体特性。本文研究了2MHz/13.56(27.12、60)MHz、13.56MHz/27.12(60)MHz和27.12MHz/60MHz双频磁控溅射放电等离子体的离子能量分布特性。发现离子能量分布特性取决于低频与高频的功率比和驱动频率。对于2MHz/13.56(27.12、60)MHz的双频磁控溅射,增大低频/高频功率比可以导致离子能量分布从单模结构朝着双模结构变化。对于13.56MHz/27.12(60)MHz和27.12MHz/60MHz的双频磁控溅射,增大低频/高频功率比则导致峰值能量的增大,利用低频与高频的功率比对鞘层振荡的影响机制解释了双频磁控溅射离子能量分布特性变化的可能原因。论文研究了13.56MHz/27.12(60)MHz和27.12MHz/60MHz双频磁控溅射放电等离子体的等离子体密度、电子温度、等离子体电位和电子能量分布特性。发现不同频率组合可以造成这些性能的差异,因此,通过选择适当的频率组合,可以调控双频磁控溅射的等离子体性能。论文进一步研究了ICP增强的13.56MHz/27.12(60)MHz和27.12MHz/60MHz双频磁控溅射放电等离子体特性。发现ICP放电的增强作用与溅射频率的组合有关,需要选择合适的频率组合来改善等离子体性能。因此,发展低频与高频组合、射频与甚高频组合驱动的双频磁控溅射技术对于薄膜沉积与结构性能的调控提供了一种新的手段。