【摘 要】
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石墨烯由于其独特的几何结构与优越的电学性质而成为科学界研究的热点。本文采用基于密度泛函的第一性原理与非平衡格林方法,研究了空位缺陷的锯齿型石墨烯纳米带的电子结构
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石墨烯由于其独特的几何结构与优越的电学性质而成为科学界研究的热点。本文采用基于密度泛函的第一性原理与非平衡格林方法,研究了空位缺陷的锯齿型石墨烯纳米带的电子结构和输运性质,主要研究内容如下:首先,研究了纳米带中心的碳原子空位对锯齿型石墨烯纳米带电子结构和输运性质的影响。研究发现,含空位缺陷的锯齿型石墨烯纳米带都呈现出金属性的电子结构特征,其电学性质与缺失碳原子的多少密切相关。当缺失偶数个碳原子时,费米能级附近出现部分的非简并态,此时体系的电流随电压的增加先增大而后保持不变;当缺失的奇数个碳原子时,费米能级附近的态全为非简并的,体系的电流随电压增加而近似线性增大。接着,研究了边缘相同自旋构型下空位缺陷对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响。计算结果表明,当锯齿型石墨烯纳米带缺失奇数个碳原子时,自旋极化使能级发生非简并,并在费米能级附近有能隙产生,体系由金属性转变成了半导体性。当锯齿型石墨烯纳米带缺失偶数个碳原子时,体系发生自旋极化现象,并且有缺陷态穿过费米能级,体系显示金属特性。最后,研究了带宽对含空位缺陷的锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响。发现随着带宽的增加,体系的带隙逐步的减小至零,体系发生了由半导体到金属的转变,并且体系磁动量逐渐增加,自旋电荷密度逐步由扩展分布转变成在边缘局域分布的趋势。
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