难熔金属硅化物在现代集成电路封装中具有重要意义。因此,研究难熔金属与硅之间的界面反应,以便预测和控制界面硅化物的形成,不仅具有重要的理论意义,而且有利于指导封装工艺的制订。本文结合国家自然科学基金项目（NO:50671122）,采用CALPHAD技术对Pt-Si、V-Si、Ag-Pt等相关体系热力学进行研究,并外推计算Pt-V-Si和Ag-Pt-Si这两个三元体系相关系。主要研究工作如下:1.优化和计算了Pt-Si和V-Si两个二元系。其中液相与端际相采用替代溶液模型,V₃Si相采用亚点阵模型,其余化合物均采用化学计量比模型。结合文献报道的Pt-V二元系热力学数据,外推计算了Pt-V-Si三元系,和液相面投影图以及一系列的等温截面。2.优化和计算了Ag-Pt二元系,其中液相与端际相采用替代溶液模型,所有化合物均为化学计量比模型。结合本文优化的Pt-Si二元系和文献报道的Ag-Si二元系的实验数据,外推计算了Ag-Pt-Si三元系,和液相面投影图与一系列的等温截面。3.利用获得的热力学数据,合理地解释了文献报道的V/Si界面反应的实验现象。