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氮化硅-聚合物混合集成电光移相器研究
【机 构】
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电子科技大学
【出 处】
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电子科技大学
【发表日期】
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2023年01期
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随着高端装备服役工况向极端复杂化发展，基于极端工况下轴承的设计、制造和服役等关键技术已成为进一步拓展高性能轴承应用领域的“卡脖子”难题。首先对轴承技术领域范围的极端工况及在极端工况下轴承各类失效形式进行了归纳和总结，分析了轴承在具体的极端温度环境中的服役行为及技术研究现状，针对轴承技术发展和现实需求提出氮化硅全陶瓷球轴承在极端工况下应用的技术优势，综述了氮化硅全陶瓷球轴承材料制备、轴承设计理论及精
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氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能，在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料，鉴于此，本工作以氮化硅陶瓷为基板材料，结合流延成型、丝网印刷以及高温共烧技术制备氮化硅多层共烧组件，探究烧结助剂（Er2O3）含量对氮化硅陶瓷性能的影响，并对氮化硅多层组件脱粘工艺、界面结
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以Yb2O3和Al2O3为烧结助剂，研究气压一步烧结和两步烧结工艺对Si3N4陶瓷结构件微观形貌、力学性能的影响。结果表明：一步烧结长时间保温可以减少样品内部孔隙，但是会导致β-Si3N4晶粒异常长大，恶化部分力学性能。采用两步烧结制备的Si3N4陶瓷相对密度达98.25%，内外结构均一，没有晶粒异常长大现象；其维氏硬度（HV）为1478、室温抗弯强度为832 MPa、高温（900℃）抗弯强度为6
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采用等离子增强化学气相沉积方法在p型＜100＞硅片沉积氮化硅薄膜，通过椭偏仪和缓冲氧化物刻蚀液（BOE）溶解实验来表征薄膜的均匀性与致密度，研究了射频功率、腔室气压、气体流量比和衬底温度4个工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响。结果表明：在60～100 W范围内，射频功率越大，氮化硅薄膜生长速率越快；腔室气压在130 Pa时有利于形成均匀性好、结构致密的氮化硅薄膜。硅烷/氨气气体流量比例较低时，提高流量
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轴承陶瓷球是陶瓷球轴承中的关键元件，对于轴承陶瓷球的研磨加工，球体的研磨方式和研磨液是影响陶瓷球加工质量和加工效率的关键因素。简述了陶瓷球成球原理，总结了陶瓷球研磨方式的研究进展，对不同的陶瓷球研磨方式进行了比较分析，并提出了一种满足批量加工的变曲率沟槽研磨方式；介绍了陶瓷球研磨液的成分及作用，综述了轴承陶瓷球研磨液的发展现状。从加工精度、批量加工和绿色制造等方面对轴承陶瓷球研磨加工技术的发展进行
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本文采用燃烧合成氮化硅粉体为原料，烧结助剂选择了MgO+Yb2O3,采用气压烧结工艺制备了高性能的氮化硅陶瓷，讨论了燃烧合成的粉体对氮化硅陶瓷致密度、热导、物理性能和显微结构的影响。结果表明：添加4%MgO+8%Yb2O3的烧结助剂时，在1 900℃气压处理10 h,烧结出了综合性能优异的氮化硅陶瓷。随着烧结助剂的减少，试样的热导率和物理性能下降；采用低氧β相氮化硅粉体烧结的试样热导率可达115.
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采用注射成型与气压烧结结合的工艺，可以低成本、大批量制备出体积小、精度高的陶瓷异形件。本文以低密度聚乙烯（LDPE）和乙烯-醋酸乙烯共聚物（EVA）为黏结剂，在注射温度165℃、注射压力85 MPa的条件下制备氮化硅坯体，通过热脱脂工艺和烧结动力学测试，得到了完整的氮化硅注射成型工艺路线，并研究了喂料固含量对坯体密度、烧结密度和维氏硬度的影响，以及喂料在140～160℃时的非牛顿指数变化。结果表明
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在丙烷的下游产品中,丙烯是重要的化工原料,它是三大合成材料的基本原料,然而,随着化石能源的消耗,传统的丙烯生产方法不能满足日益增长的需求,丙烷脱氢工艺由于其专门生产丙烯而成为最有前景的丙烯生产方法,目前,丙烷脱氢工艺已广泛应用于工业生产,主要用到的催化剂是Cr基催化剂和Pt基催化剂,但是Cr基催化剂催化丙烷脱氢（PDH）反应时,存在碳沉积和Cr3+聚集致使氧化铬失活的问题。Pt基催化剂经济成本高且
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基于脉冲加热-红外吸收/热导法，比较分析了恒定式、斜线式及阶梯式3种功率控制升温模式在烧结氮化硅陶瓷材料氧氮含量测定中的特点。优化后选择阶梯式功率控制升温模式并设置合理的分析参数，获得了分离良好的氧氮分量峰。结合在脉冲加热熔融样品过程中特定点位取样的X射线衍射物相分析，确定了烧结氮化硅材料的晶格氧分量峰位置及含量。测试得出Yb2O3做助剂的烧结氮化硅陶瓷晶格氧含量为0.094%，相对标准偏差为1.
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