GaN基紫外LED的p层外延工艺优化

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近年来,GaN基紫外LED作为一种长寿命、小体积、可替代传统汞紫外灯的绿色光源正日益受到国内外的广泛关注。但目前GaN基紫外LED的发光效率低和可靠性差,其还远不能满足所有紫外光应用的需求。因此,提高GaN基紫外LED的光电性能和可靠性的研究显得尤为重要。本文通过优化p层外延工艺来改善GaN基紫外LED的光电性能和可靠性。进行的一系列p层优化实验包括:优化作为p型Mg掺杂源的Cp2Mg的流量,优化电子阻挡层结构以及在p层中插入p-AlGaN/p-GaN超晶格。这一系列优化最终使得GaN基紫外LED的光电性能和可靠性显著提高,并获得了20mA下工作电压为3.28V,光输出功率为8.47mW的385nm波段的LED。以及20mA下工作电压为3.09V,光输出功率为25.12mW,外量子效率高达40.67%的399nm波段的LED。
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