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近年来,铁电薄膜成为了高新技术研究的热点之一。铁电薄膜在各个领域都有着广泛的应用。根据铁电薄膜的不同特性,例如:铁电性、压电性、热释电性等,制备了多种器件。目前对于铁电薄膜的研究还集中在传统的钙钛矿结构材料上,例如PZT、BST等。然而传统钙钛矿结构的铁电薄膜在应用于硅基铁电存储器上,已经被证明有着很多困难。比如说铁电尺寸效应、结晶时热处理导致的退化、小的帯隙、与Si的界面不匹配等。最近研究发现Hf0.5Zr0.5O2在一定制备条件下出现了铁电性。而HfO2、ZrO2作为代替SiO2的栅介质材料,它