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随着激光在军事、医疗、工业等领域中的应用不断扩大,人员的安全和光电探测系统的正常使用都面临巨大风险,故采取一定的激光防护措施是必要的。针对532nm和1064nm这两个常用波长激光的威胁,采用薄膜干涉技术研制一种能够同时有效防护532nm和1064nm波长激光的双陷波滤光片,对于保护人眼和红外光电系统具有十分重要的研究意义和应用价值。本文主要研究了双陷波滤光片的膜系设计方法,并采用PECVD技术完成了双陷波滤光片的制备。首先,基于不同的膜系设计理论,研究了532nm和1064nm双陷波滤光片的膜系设计方法,设计、优化出六种膜系方案,并比较确定了较优的膜系结构；其次,研究了PECVD技术制备SiNx材料、SiOxNy材料、SiOxFy材料的工艺技术和最佳工艺参数；最后,采用PECVD技术完成了532nm和1064nm双陷波滤光片的制备,并对测试结果进行了误差分析。获得的主要结论如下：(1)利用传统HL膜系、Rugate膜系或混合渐变膜系,通过选择合适的初始膜系,并结合一定的优化方法,可以得到多种满足设计指标的膜系结构。膜系Al203|(0.5L3M0.5L)2(0.5L3H0.5L)8(0.5L3M0.5L)2|air,具有良好的光谱性能。从优化的角度来看,它易于实现更高的光谱性能,仅采用梯度法即可优化得到较优的设计结果。从制造的角度来看,它仅需要三种不同折射率的材料,且具有较少的膜层数和膜层总厚度,以及较大的最薄层几何厚度,易于制备。(2)采用最佳工艺参数制备的单层SiOxFy、SiOxNy、SiNx薄膜具有良好的工艺稳定性,其折射率误差均小于1.5%,厚度误差均小于5%。(3)利用PECVD技术制备的532nm和1064nm双陷波滤光片,其在400-480nm、600-700nm和3000-5000nm波段的平均透过率为86.18%,532nm和1064nm波长处的透过率分别为0.94%、3.55%。