【摘 要】
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随着电力行业的迅猛发展,各类电器走进千家万户,作为保障人身财产安全的漏电保护器,其重要性不言而喻。漏电保护芯片作为漏电保护器的核心控制芯片,决定着漏电保护器的绝大部分性能。近年来国内对于漏电保护芯片的研究层出不穷,可是这些研究大多专注于数字电路算法部分的研究与优化,而忽视了模拟电路部分对漏电保护芯片的重要性。作为漏电保护芯片的前端信号处理模块,模拟电路对整体电路的性能也产生了重要的影响。本文基于T
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随着电力行业的迅猛发展,各类电器走进千家万户,作为保障人身财产安全的漏电保护器,其重要性不言而喻。漏电保护芯片作为漏电保护器的核心控制芯片,决定着漏电保护器的绝大部分性能。近年来国内对于漏电保护芯片的研究层出不穷,可是这些研究大多专注于数字电路算法部分的研究与优化,而忽视了模拟电路部分对漏电保护芯片的重要性。作为漏电保护芯片的前端信号处理模块,模拟电路对整体电路的性能也产生了重要的影响。本文基于TSMC 180nm CMOS工艺对漏电保护芯片关键模拟电路进行研究与设计,针对低压低功耗和芯片稳定性这两个重要指标进行研究,完成了带隙基准源、多值偏置产生电路、缓冲电路、斩波稳定运算放大器和迟滞比较器电路的设计与版图的全定制。首先针对芯片低压低功耗的设计需求,本设计采用1.8V作为电源电压。后仿真结果显示,-40~85℃的温度范围内,带隙基准电路五个工艺角下的温度系数均小于20ppm/℃,低频电源抑制绝对值均大于75dB。为改善整体芯片最小触发电压的离散性,采用斩波稳定技术对运算放大器的失调电压和低频噪声进行优化,失调电压降低到15uV以下,50Hz处的等效输入端噪声谱密度为129.86nV/(?)。比较器加入迟滞功能以降低工作环境中噪声对信号处理的影响。本文设计的电路整体版图面积为580um×531um,27℃下,后仿真显示各个工艺角下的平均消耗电流均小于871uA,最大功耗为1.57mW。五个工艺角下最小触发电压的平均值为8.15mV,标准差为0.106mV,整体电路的响应时间为83.23us。
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电离源是离子迁移谱的重要组成部分,电离源的性能在一定程度会影响离子迁移谱的性能及其适用范围。本文在金属光电效应电离源的研究基础上,提出一种新型的基于石墨烯光电效应的电离源。其主要工作包括石墨烯薄膜/层制备工艺探索、基于石墨烯光电效应电离源的离子迁移谱平台搭建、电离源性能测试、石墨烯/金属电离源稳定性对比以及平台在样品检测方面的研究。实验结果表明,四种石墨烯薄膜/层制备工艺中,湿法转移获得的石墨烯薄
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冠突过长(CPH)是一种罕见的下颌骨发育过程中冠突形态和长度的异常疾病,本文报道2例双侧CPH引起下颌运动及开口受限的病例资料,通过报道病例的临床表现、X线检查、治疗及预后,为该疾病的诊疗提供参考。这2例CPH病例经外科切除伸长的冠突后,即刻开口度均增加到近三指,其中1例治疗6个月后,随访开口度正常,而另外1例术后2年CPH复发。CPH的病因暂不明确,可能与多种因素相关。CPH导致开口受限的情况在
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