Cd_1-xZn_xTe晶体具有优异的光电特性，是理想的室温核辐射探测器用材料。尽管对Cd_1-xZn_xTe的研究由来已久，但在高电阻Cd_1-xZn_xTe晶体制备、大直径Cd_1-xZn_xTe晶体生长以及金属与Cd_1-xZn_xTe晶体接触等方面尚存在诸多难题。本文针对这三个问题进行了探索研究。由于生长过程中组元Cd的挥发，Cd_1-xZn_xTe晶体中容易形成大量的Cd空位等点缺陷。这些电活性点缺陷的存在严重影响了Cd_1-xZn_xTe晶体的光电性能。针对上述问题，本文通过生长掺杂和退火掺杂两种途径，对本征Cd_1-xZn_xTe晶体进行了掺In改性，并通过I-V曲线，红外透过谱以及光致发光谱等手段考察了In的掺入对晶体性能的影响。研究表明，In的生长掺杂和退火掺杂均能够有效提高Cd_1-xZn_xTe晶体的电阻率。通过生长掺杂，其电阻率由3×10⁷Ωcm增加至5×10¹⁰Ωcm，提高了3个数量级。而经过退火掺杂，Cd_1-xZn_xTe的电阻率由5×10⁷Ωcm提高到了3×10⁹ΩCm，提高了两个数量级。In的生长掺杂和退火掺杂均降低了Cd_1-xZn_xTe晶体的红外透过率。这是由于，In的引入增加了自由载流子的浓度，使得自由载流子对红外光的吸收加强。In的引入还在总体上增大了品格振动时的电偶极矩，造成品格吸收的加强。这两方面的原因共同导致了红外透过率的降低。生长掺杂并没有导致Cd（1-x）Zn_xTe结晶质量的变化。而退火掺杂后，X射线回摆曲线的半峰宽由125″降低到78″，位错密度由6.2×10⁴cm^-1下降到1.5×10⁴cm^-1，说明晶体的结晶质量得到提高。PL谱测试表明，生长掺In后，杂质及缺陷复合区由一个微弱的凸起扩展为一个明显的宽大波包，证实了掺杂后缺陷复合体(2In_Cd⁺-V_Cd^2-)⁰的存在。同时，施主-受主对复合对应的DAP峰的强度增加，且出现了声子峰DAP-LO。而掺杂后（A⁰，X）激子峰消失，说明Cd空位已经得到有效补偿。退火掺杂后，中性施主束缚激子峰（D⁰，X）的半峰宽明显减小，同时在（D⁰，X）的高能肩出现了自由激子峰FE，并且施主-受主对复合导致的DAP峰强度也明显高于掺杂前的情况，D_complex峰的强度略有提高。针对Cd_1-xZn_xTe：In的常规表征手段非常复杂，而且测试过程有可能对晶体本身造成损伤。为此，我们通过对大量Cd_1-xZn_xTe：In晶片低温PL谱的分析测试，总结了其特征峰的变化特点，并结合晶体的结构和电学性能，建立起一套简单有效且能从本质上反映晶体质量的无损评价方法。研究发现，对于高质量Cd_1-xZn_xTe：In晶体，近带边区内的主峰为施主束缚激子（D⁰，X）发光，并且（D⁰，X）的峰形越明锐，质量越好。而在低质量Cd_1-xZn_xTe：In晶体中，近带边区内的主峰通常为受主束缚激子（A⁰，X）发光。此外，高质量Cd_1-xZn_xTe：In的PL谱中，一般能区分出自由激子FE发光峰，而对于低质量的Cd_1-xZn_xTe：In，则很难看到这一点。（D⁰，X）峰的半峰宽W_FWHM与Te沉淀／夹杂密度D_Te之间存在着一定的联系，前者随着后者的增加而单调递增。二者之间的关系可以表达为D_Te=-3.49×10⁴+2.72×10⁴W_FWHM。D_complex峰的相对强度可以反映出位错密度D_d的大小。I_Dcomplex／I＼_D⁰，X越大，D_d越高。其原因是位错所束缚的激子会产生复合发光，反映在光谱上就表现为D_complex峰的增强。而DAP峰和D_complex峰的相对强度之差与电阻率具有紧密的对应关系。随着I_DAP／I_D⁰，X-I_Dcomplex／I_D⁰，X的增大，晶体的电阻率下降。采用改进炉体设计和温场分布的垂直布里奇曼晶体生长炉，成功制备出了直径为60mm的大尺寸Cd_1-xZn_xTe：In晶体，并通过比较位错蚀坑密度，X射线回摆曲线，红外透过谱以及光致发光谱等，详细分析了晶锭尺寸变化对于Cd_1-xZn_xTe：In晶体性能的影响。研究表明，当直径为30mm时，其位错密度低，X射线回摆曲线的峰形尖锐，对称性良好，半峰宽窄。而当直径增加到60mm时，其位错密度上升了一个量级，且X射线回摆曲线的峰形钝化，峰侧存在着明显的劈裂，半峰宽亦被宽化。上述变化是由于，晶锭直径的增加引起了温场不均匀性的提高，从而导致生长成的Cd_1-xZn_xTe：In晶锭中产生更大的应力所致。同时，晶锭直径的增加会引起红外透过率的小幅度升高。这是由于，当晶体直径变大时，位错密度会有所增加，有更多的自由载流子被俘获。这就同时引起了自由载流子对于红外光吸收的弱化，从而提高了其红外透过率。当晶体直径增加时，低温PL谱中与位错相关的D_complex峰的强度会明显加强，而施主-受主对复合导致的DAP峰强度会有所削弱。为了改善Au-Cd_1-xZn_xTe：In的电学接触特性，我们采用退火对其进行了处理。研究表明，退火处理能有效降低漏电流，并且漏电流降低的程度随着退火温度的增加而不断提高。200℃下的中低温退火可以有效改善Au-Cd_1-xZn_xTe：In电极的欧姆接触特性，但300℃以上的高温退火则会恶化其欧姆接触特性。Au膜和Cd_1-xZn_xTe：In基体间附着情况的变化是导致这一变化的主因。电极退火对于Au-Cd_1-xZn_xTe：In电极漏电流的稳定性有着明显的影响。退火温度越高，漏电流的稳定性就越强。在300℃退火下得到了最稳定的漏电流。这是由于退火有助于提高Au-Cd_1-xZn_xTe：In界面层中的[Au]³⁺含量，而[Au]³⁺的增加导致载流子平均弛豫时间的降低，进而导致漏电流稳定性的提高。退火后与复合体2[Au]³⁺-3[V_Cd]^2-相关的D_complex峰的强度明显增加，说明Au在退火中能有效地向Cd_1-xZn_xTe：In中扩散形成复合体2[Au]³⁺-3[V_Cd]^2-。