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Al2O3陶瓷材料原材料来源丰富,大规模工业化生产成本低廉,被广泛应用于散热基板方面。Al2O3薄膜因其光学性能优良、机械强度与硬度高、透明性与绝缘性好、耐磨、抗蚀及化学惰性等特点而引起人们的极大兴趣,已经广泛地应用于光学、机械及微电子等领域。AlN薄膜具有一系列独特优良的物理化学性质,特别是AlN材料具有高热导、高电阻、热膨胀系数与GaN、GaAs等常用的半导体材料相匹配等优点,广泛地应用在微电子器件散热基板、封装材料等方面。本文采用放电等离子烧结技术(SPS)成功制备了高热导率氧化铝陶瓷,XRD结果表明陶瓷样品成α-Al2O3相且无任何其他杂相生成；FE-SEM图片结果显示样品晶粒直径约为5-15μm,且晶界清晰；通过对其热导率的测量,发现其导热系数在常温下(25℃)达到24.928W/(m.K),高于传统方法制备的Al2O3陶瓷热导率,通过磁性能测试发现该样品在室温具有良好的磁性能,剩余磁化强度为5.46×10-3emu/g,饱和磁化强度为32.1×10-3emu/g,磁性能来源于氧空位。采用磁控反应溅射法在Si(100)基片上制备了Al2O3薄膜,并在850、1100℃,分别于N2、O2氛围下分别退火.XRD结果表明四种不同条件退火所形成的薄膜样品峰位取向一致,其中850℃在O2氛围中退火样品的取向出现了Si峰；室温下在紫外光区域,四种退火样品均检测到具有明显的吸收峰,其中1100℃在O2氛围中退火样品与其他三种样品相比在吸收强度上有明显地优势,四种样品在峰位上没有发现差别；光学特性可能部分来源于氧空位。除此之外,在室温下还发现了磁性能。另外,本实验还采用磁控反应溅射法在Si(100)基片上制备了AlN薄膜,并在600、700、800℃,N2氛围下分别退火.XRD结果表明600℃与700、800℃退火所形成的薄膜样品峰位取向不同;选取700℃退火样品SEM图片结果显示薄膜生长致密,表面生长均匀致密；室温下在紫外光区域,三种温度退火样品均检测到具有明显的吸收峰,600℃和700、800℃退火的样品不仅在强度上有所差别,在峰位上也有差别；光学特性可能部分来源于氧空位。