Al掺杂GZO薄膜的光电性能及残余应力研究

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本论文为了研究不同实验条件下制备的Al掺杂GZO薄膜(以下均简称AGZO薄膜)的光电性能及残余应力等参数,通过磁控溅射的实验方法,运用两块靶材共溅射的方法,利用Al靶和Ga2O3:ZnO靶(以下均简称GZO靶)同时向玻璃基片上溅射,制备出不同Al靶溅射时间下、不同Al靶溅射功率下、不同GZO靶溅射功率下的AGZO薄膜样品,并对不同Al靶溅射时间下、不同Al靶溅射功率下制备的AGZO薄膜样品进行了真空退火处理。并且通过X射线衍射分析仪、扫描电子显微镜、分光光度计、霍尔测试仪等测试设备,以及通过相关理论
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