由h-BN和ZnO，通过球磨法制得复合光催化剂h-BN/ZnO；通过球磨-煅烧法，由三聚氰胺和钨酸铵制得复合光催化剂WO3/g-C3N4；制备分别以g-C3N4和WO3为主体的光催化剂，研究其电子空穴转移机制。通过UV-Vis DRS、ESR、XRD、TEM、PL、SEM等分析手段，研究催化剂的光性能和形貌。选取碱性品红（BF）、亚甲基蓝（MB）、刚果红（CR）、甲基橙（MO）、罗丹明B(RhB)作为被降解物质，研究催化剂在光照下的光催化活性。从实验结果我们得出结论，h-BN在球磨之后是负电荷的载体，能够有效转移空穴，从而提高活性。我们还制备了高效的Z型光催化剂WO3/g-C3N4。在催化剂WO3/g-C3N4中，当g-C3N4为主体时，催化剂遵循Z型转移机制，而当WO3为主体时，机制则是普通的带带转移。