【摘 要】
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本论文的主要工作是结合目前实验室中现有的OLED制作技术和设备水平以及韩国PT-PLUS公司的LDD型Poly-Si TFT制备工艺,确定了全P沟道Poly-Si TFT AMOLED像素驱动电路的参数,对
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本论文的主要工作是结合目前实验室中现有的OLED制作技术和设备水平以及韩国PT-PLUS公司的LDD型Poly-Si TFT制备工艺,确定了全P沟道Poly-Si TFT AMOLED像素驱动电路的参数,对电路的功能进行了仿真,并对电路参数进行了优化。具体工作是结合特定Poly-Si TFT的制备工艺,根据相关的设计规则及OLED的工作条件,确定了两管TFT像素驱动电路和电流镜像素驱动电路的参数。在利用STAR-HSPICE对电路仿真之前,对Level 62 RPI Poly-Si TFT模型的结构和原理进行了分析,详细设置了模型参数。根据96×3×128的像素矩阵和60HZ刷新率的工作条件,设置了驱动信号和电源电压,然后对两类像素驱动电路进行了仿真。模拟了各元件参数对电路性能的影响、寄生效应对电路性能的影响,阈值电压变化带来的问题等。对电流镜像素驱动电路进行了改进,优化了器件参数,得到了满意的结果。
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