在超高速集成电路领域中硅双极技术占有重要的地位,这是因为双极器件比MOS器件具有更强的驱动能力,更大的跨导和更快的速度。近年来一系列新的双极型器件结构,工艺技术的开发成功,使硅双极电路速度发展令人瞩目。本文阐述了在传统晶体管结构和单层多晶硅发射极结构基础上设计了双极型双层多晶硅发射极器件结构,并针对该结构开发了相应的双多晶工艺。该双层多晶硅发射极结构的主要特点是发射结硅表面上的多晶硅与作为外基区引线的多晶硅在纵向上形成交叠,使外基区建立在厚氧化层上,不仅缩小了晶体管横向上的尺寸,还大幅度减少了寄生电容。与传统的双极型工艺相比,该工艺关键优势在于基于标准CMOS工艺平台制造,超细微线条,采用超浅发射结注入、深槽隔离以及二次浓硼注入工艺等先进技术,制造出具有更高频率,更大功率增益,较低噪声系数,易于电路匹配以及更高集成性的单片式分立器件。流片结果显示,采用本文描述的工艺方法制造出的高频微波晶体管其增益带宽乘积fT在IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz条件约为21GHz。在IC=2mA,VCE=2V,f=2GHz条件下,NF≤1.2dB优于国外同类产品水平。在IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz条件下,|S21|2≥15dB达到国内外同类产品水平。由于能力与时间的限制,加之制造工艺技术难度较大,所以采用本文工艺制造出的高频微波晶体管增益带宽乘积fT与理论值还有一定的差距,电流功率容量还有所欠缺,希望在以后的工艺优化及流片中得到改善。