纳米材料在20世纪80年代发展起来的一种具有全新结构的材料，由于其显著的表面效应，量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，纳米材料表现出奇异的力学、电学、磁学、光学、热学和化学特性。在生产和高科技领域有着广阔的应用前景。纳米材料的制备技术及应用研究在纳米科学研究中占据极为重要的地位。 一维纳米材料是场致电子发射材料的研究热点。本论文以本研究组发展的热蒸发法制备一维纳米材料的方法，从场发射冷阴极应用角度出发，研究氧化钨纳米线薄膜低温制备和定域生长技术。通过发展技术，在硅片衬底及ITO玻璃衬底上实现了低温制备氧化钨纳米线薄膜；通过引入模板法，在硅片衬底及ITO玻璃衬底上实现了定域生长氧化钨纳米线薄膜，制备间距为0．2 mm的氧化钨纳米线冷阴极阵列，达到20英寸VGA场发射平板显示要求。 同时，利用SEM、TEM、XRD和Raman等手段对所制备的氧化钨纳米线薄膜进行了形貌和成分的分析；利用透明阳极法对氧化钨纳米线薄膜阵列进行场发射性能测试，获得开启电场为4．5 MV／m，8 x 8阵列稳定发射总电流为1．5 mA的结果。