铌酸锂晶体是一种性能优异的电光材料,基于铌酸锂电光效应制成的空间光调制器也一直是一个研究热点,它可以被用来调节光束的振幅以及相位,相较于传统的液晶空间光调制器,电光调制器有着更快的调制速度以及更大的光强承受能力。小规模、紧凑型的电光调制器在过去的数年之间已经快速的趋向于成熟,或许在不远的将来,它们会为在高性能计算,电子模拟电通信网络,以及数据中心中涉及到的相关应用带来较大的革新。本文在一开始概述了空间光调制器的几种常见类型,然后对铌酸锂晶体的基本性质、电光效应的原理做了简单的论述,随后承上启下的介绍了基于铌酸锂晶体电光效应的调制器几种分类与应用。本文重点对两种利用铌酸锂电光效应制成的相位调制器做了详细介绍,第一种相位调制器是基于铌酸锂电光效应以及对称金属包覆波导的超高阶导模实现的,第二个介绍的调制器是基于铌酸锂电光效应的一维阵列型高速空间光相位调制器。本文首先对金属包覆波导的相关性质做了详细的描述,从而为后续内容奠定理论基础,先由普通的平板介质波导引出金属包覆波导,然后分析了金属包覆波导的相关特性。随后详细描述了第一种铌酸锂电光效应调制器的实验相关内容,由于金属包覆波导内所具有的这种超高阶导模对晶体折射率的变化非常的敏感,因此可以大幅降低通过波导的光束产生2相变量所需要的外加电压,该实验基于的是铌酸锂的纵向电光效应。第二个铌酸锂电光效应调制器是基于铌酸锂横向电光效应的一维阵列型高速空间光相位调制器,这种调制器相比介绍的第一种调制器所需电压更小,可进行空间上的相位调制。目前已经制备出了8通道、16通道的调制器,这为最终实现128通道、兆赫兹量级调制速度的一维宽谱阵列型空间光调制器打下了良好的基础。