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基于忆阻器的非挥发性存储电路设计
【摘 要】
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信息时代的飞速发展使得以闪存为主流的存储技术不断更新,基于传统半导体工艺制备的闪存存储器遇到了发展瓶颈,如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄、存储寿命较低、工作电压高、写入速度慢等技术缺点,迫使人们寻找性能更为优越的下一代存储技术。忆阻器具有非挥发性、低功耗,与CMOS工艺兼容等特点,在非挥发性存储器、大规模集成电路、人工神经网络、模式识别和图像处理等方面有着巨大的应用潜能。基于忆阻器的
【出 处】
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黑龙江大学
【发表日期】
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2021年09期
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