【摘 要】
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该文在深入研究常规MCT器件性能的基础上,针对其在电流关断能力及正向特性等方 面所存在的结构限制,提出了三种新型的场控器件结构:即沟槽MOS控制晶闸管(又分为双沟槽和单沟
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该文在深入研究常规MCT器件性能的基础上,针对其在电流关断能力及正向特性等方 面所存在的结构限制,提出了三种新型的场控器件结构:即沟槽MOS控制晶闸管(又分为双沟槽和单沟槽和单沟槽两种)(简称TMCT)、耗尽型MOS射极短路晶闸管(简称DMST)和肖特基控制晶闸管(简称SDCT).在理论分析的基础上,利用Medici4.0软件对这些新结构器件及MCT等的正向和瞬态特性进行了大量的数值模拟工作.为了分析比较,模拟中,各结构均先取了相同的结构参数和材料物理参数.模拟结果表明,新提出的三种结构器件的关断电流的能力及正向特性与MCT相比较,具有明显的优势.
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