正是纳米科技使得我们人类认识和改造物质世界的手段和能力延伸到了原子和分子尺度。因此作为纳米技术应用基础的纳米材料,就当仁不让地成为了目前材料科学研究的一个热点。纳米材料的制备方法按原料状态可分为三大类:固相法、液相法和气相法。本文主要介绍了属于气相法的直流放电等离子体技术,以及可以与之相结合制备各种低维纳米材料的热处理法和水热法等。样品制备出来以后,我们利用X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、场发射扫描电镜（FESEM）、光致发光（PL）,紫外-可见吸收光谱等仪器设备,对样品的形貌、结构和性能进行测试与分析,得到的结果主要有:（一） Si纳米线的制备1、用直流放电等离子体电弧法直接制备出了Si纳米线。2、对Si纳米线的形貌和结构进行了表征和分析,透射电镜和扫描电镜的结果表明:所制得的Si纳米线粗细比较均匀,直径约为10-20纳米。3、讨论并阐述了Si纳米线的生长机理。4、研究了Si纳米线的光致发光（PL）,得到位于紫外区（363nm）的发光峰。（二） SbSn纳米管的制备1、运用直流放电等离子体结合热处理的方法成功制备了SbSn纳米管。2、对制备所得到的样品进行了形貌和结构的分析和表征。结果表明所制备的样品为多晶SbSn纳米管,表面粗糙,直径均匀,约为200nm。3、提出了一种可能的SbSn纳米管生长机理。（三）水热法制备硫化锑纳米片等材料1、采用水热法制备了以纳米片为主的Sb₂S₃纳米材料。2、对样品的形貌和结构进行了表征和分析,结果表明中性环境（pH=7）下生长的Sb₂S₃纳米片厚度均匀,为20nm左右,并沿[221]方向择优生长。3、通过紫外-可见吸收光谱的分析得出Sb₂S₃纳米片的直接带隙能量值为1.72eV。