【摘 要】
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该文深入研究了SOIMOS器件的物理特性和电学特性.分析了三种处于不同工作模式的SOIMOS器件(厚膜部分耗尽增强型器件、薄膜全耗尽增强型器件和薄膜全耗尽积累型器件)的导电机
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该文深入研究了SOIMOS器件的物理特性和电学特性.分析了三种处于不同工作模式的SOIMOS器件(厚膜部分耗尽增强型器件、薄膜全耗尽增强型器件和薄膜全耗尽积累型器件)的导电机理.着重分析了薄膜全耗尽增强型和积累型SOIMOS器件的物理特性和电学特性.该文对薄膜全耗尽增强型和积累型SOIMOS器件的高温特性做了深入的研究.根据前人的理论,初步给出了阈值电压随温度变化的线性拟合模型.同时,针对高温应用,对实验结果进行了分析和讨论.在研究了SOIMOS器件之后,该文研究了高温SOICMOS倒相器和环形振荡器的工作特性,进行了大量的高温实验,对高温特性的实验结果并进行了分析和讨论.
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