作为第三代半导体材料的代表,SiC单晶具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率大、临界击穿场强高和热导率高等优势,可以用于制备耐高温、散热好、耐高压、高频大功率器件。目前,SiC单晶已经被广泛应用于肖特基二极管（SBD）、pin二极管以及结势垒肖特基二极管（JBS）等功率器件的制备。在这些功率器件中,SiC JBS二极管具有SBD二极管和pin管两者的优势,一直是研究的热点之一。目前SiC JBS二极管研究主要集中在离子注入和结终端技术方面。本文基于模拟的方法,研究了 n型4H-SiC材料中A1注入结深、浓度分布与注入角度、缓冲层、能量和剂量的关系,优化了注入深度500nm,浓度均匀分布的注入条件,并进行了常温注入实验。注入完成后,进一步探讨了保护方式、温度等对SiC晶圆激活效果,注入条件和退火保护方式对SiC表面粗糙度的影响。在激活完成后,在材料上生长了一层Ni并进行退火,分析了激活浓度对Ni与A1注入形成的p-SiC的欧姆接触的影响。实验结果表明以4°偏角注入,用100nmSiO₂作为缓冲层进行注入,以1750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862nm,激活浓度为4.25×1019 cm-3的p-SiC。1050℃-2min的欧姆接触退火条件为最优条件,制备出比接触电阻率为4.10mΩ.cm2的欧姆接触。轻微的过刻蚀有利于提高肖特基接触性能。同时通过对场板长度的优化,对场限环参数的模拟结合离子注入制备出了开启电压在1V、击穿电压1300V、理想因子1.49、势垒高度1.07eV的SiCJBS器件。