【摘 要】
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微波器件在无线通信、光纤通信和国防领域中有着广泛的应用。现今微波技术的飞速发展对器件的性能提出了越来越高的要求,相应的研发技术和知识产权日益受到人们的关注和重视
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微波器件在无线通信、光纤通信和国防领域中有着广泛的应用。现今微波技术的飞速发展对器件的性能提出了越来越高的要求,相应的研发技术和知识产权日益受到人们的关注和重视。本文从微波器件的介绍和比较入手,引出了GaAs H BT,研究了其发展趋势、生长技术以及特性优越性,分析了HBT的电路性能,并采用该管子设计了一款高线性度、高增益平坦度,温度稳定性好的增益放大器。增益放大器采用达林顿结构,本文详细分析了该结构的电路特性,从设计的角度对阻抗匹配和OIP3的优化进行了分析研究并通过EM仿真优化,最终用WINHO2U32工艺流片测试。
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