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本论文采用溅射和蒸镀方法沉积了Zn/S/Zn(ZSZ)三层结构薄膜,然后通过在1atm压力的Ar气氛中退火制备出ZnS薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及紫外-可见分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了退火和沉积时间对薄膜结构和光学性能的影响。ZSZ薄膜在氩气中退火后,转变为六方结构ZnS薄膜,且沿(111)晶面择优生长。所得ZnS薄膜在可见光范围内平均光透过率高达约80%,且均匀致密。随着退火温度的升高,ZnS薄膜结晶性能得到改善。最佳的退火温度和时间分别为400℃和1h。ZSZ薄膜中S/Zn