采用液相化学方法，制备出了SnO₂纳米粉末以及掺杂Cu、Pd、Pt等元素的纳米SnO₂粉末，利用X-ray衍射、TGA、DTA、红外吸收光谱、SEM等对样品进行了分析。对样品的制备过程及样品的结构和性质进行了研究，研究了制备条件、掺杂含量、掺杂方式等对样品的影响，并对材料的气敏性质及材料在低温下（15K-290K）的电阻特性进行了研究。 主要结果如下： 1)制备的SnO₂及含掺杂元素的SnO₂纳米粉末的晶粒尺寸在几纳米到二十几纳米之间；2)反应物的浓度对样品的晶粒度可以产生一定的影响，热处理温度对产物的晶粒度影响比较明显，不宜超过600℃；3)在SnO₂中掺杂CuO可形成CuO-SnO₂固溶体，当掺杂量较多时，则会形成CuO-SnO₂固溶体和CuO二相混合物；4)掺杂可抑制样品的晶粒生长，表面包覆掺杂元素的样品晶粒度较小，对进行表面包覆的SnO₂干凝胶的预处理温度不宜过高；5)含掺杂元素的元件对还原性气体有较好的灵敏度和选择性，对于均匀掺杂Pd的样品，随掺杂量的增加灵敏度增大，表面包覆样品的灵敏度比均匀掺杂样品高，但包覆量不宜过大；6)粒度较小的纳米SnO₂样品在室温至50K左右呈半导体导电特性，当温度低于50K左右时，表现为金属导电特性。晶粒度较大的SnO₂样品在室温至15K的温度范围内，表现为半导体特性；7)掺杂使样品电阻增大，在一定温度下出现了半导体-绝缘体的转变，并且表面包覆样品的转变温度比均匀掺杂样品高。