本文研究了半导体桥(SCB)火工品的点火特性和SCB火工品在静电环境下的响应特性,并用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行模拟,研究了半导体桥火工品静电防护措施。具体如下：(1)从放电时刻光斑大小、放电曲线、压药压力等多个方面,比较了SCB火工品在电容放电和恒流源激励两种点火方式下的点火性能,掌握了SCB火工品在电容放电和直流点火两种不同激励方式下的点火规律。(2)研究有无药剂对半导体桥静电作用的影响,以及半导体桥在静电作用后性能劣化以及未劣化情况下,半导体桥的性能变化规律。(3)从桥面形状设计和防护器件两个方面研究了SCB火工品本征静电防护：增大半导体桥芯片尺寸、避免容易使电流密集的尖角等特征形状、并联电容以及TVS二极管；使用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行仿真模拟,为下一步静电防护模拟打下坚实基础。(4)探索了SCB火工品脚-壳间多种静电防护的途径。结果表明,管壳与脚线之间涂导电胶,在半导体桥陶瓷塞上设计泄放通道,都可以达到防静电效果；针对脚-壳间放电的薄弱环节,加大了焊锡点与管壳顶端的绝缘材料,增加了焊锡点与管壳侧面距离,防静电效果显著。