本文利用Landauer-Büttiker公式结合非平衡格林函数法研究了拓扑绝缘体HgTe/CdTe量子阱中的Seebeck效应和Nernst效应.　　首先研究了两端HgTe/CdTe量子阱中的Seebeck效应.先计算了在零磁场下，拓扑量M=-10meV和M=2meV时，不同温度下的Seebeck系数随费米能EF的变化.结果表明，在零磁场下，当量子化的透射系数从一个平台跳到另一个平台时Seebeck系数出现峰值.在零磁场下，当拓扑量M=-10meV时，随着温度的增加，Seebeck系数的幅度逐渐增加.对于EF＞0的情况，第N个峰的峰值为[ln2/{1/2+N}].对于拓扑量M=2meV的情况，当透射系数不为零时，第N个峰的峰值为[ln2/{2/5+N}]，并且随着温度的增加Seebeck系数逐渐增加;但是当透射系数为零时，Seebeck系数的值很大，并且随着温度的增加Seebeck系数逐渐减小.其次研究了拓扑量M=-10meV时，垂直磁场对Seebeck效应的影响.在垂直磁场下，对比能带图可以发现当费米能EF通过朗道能级时，Seebeck系数出现峰值;当费米能EF位于相邻朗道能级之间时，Seebeck系数出现谷.价带形成的朗道能级使Seebeck系数出现负的峰值，而在导带形成的朗道能级使Seebeck系数出现正的峰值.　　最后研究了四端HgTe/CdTe量子阱中Nernst效应.由于Nernst效应必须在施加磁场时才会产生，因此本文采用施加垂直磁场的方法，计算了拓扑量M=-10meV时，垂直磁场对Netnst效应的影响.结果表明，当费米能EF穿过朗道能级时，Nernst系数出现峰;当费米能EF位于相邻朗道能级之间时，Nernst系数出现谷.在EF=0处，由于没有朗道能级，所以没有峰.此外，随着温度的增加，Nernst系数逐渐增加，而且一些峰和谷消失.