【摘 要】
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该文就深亚微米MOS器件所面临的问题进行了相关的文献调研,在此基础上提出了非对称栅场效应晶体管(Asymmetric Gate FET)、组合栅场效应晶体管(Combined Material Gate FET
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该文就深亚微米MOS器件所面临的问题进行了相关的文献调研,在此基础上提出了非对称栅场效应晶体管(Asymmetric Gate FET)、组合栅场效应晶体管(Combined Material Gate FET)、用异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOIMOSFET、准SOIMOSFET四种新结构,并进行了模拟研究;同时模拟分析了SON器件的新特性,提出了利用注氦技术,实现SON器件制备的关键工艺-SON材料的制备,并完成了相关特性分析.
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