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近年来,随着纳米技术不断发展,一维半导体纳米材料因其独特的形貌结构以及光电子学性能,引起了广泛关注,大量基于一维纳米结构材料的电子、光电子器件的研究不断涌现。硫化铟作为III-VI族半导体材料中的重要一员,同样受到了广泛的关注。在本文中,我们合成了具有高的晶体质量的β-In2S3一维纳米线材料,并首先将其应用于场效应晶体管,然后重点研究了其在硬质硅基衬底以及柔性衬底上的光电探测器的应用。主要内容如下:(1)通过化学气相沉积合成了具有高的晶体质量的β-In2S3一维纳米线材料,它的禁带宽度为2.28 eV,可以作为可见光范围的光电探测材料。(2)在Si/SiO2衬底上,制作了基于单根In2S3纳米线的场效应晶体管和光电探测器件。晶体管测试验证了In2S3纳米线为n型半导体,并在一定条件下得到了晶体管器件的载流子浓度为8.975×1016 cm-3,载流子迁移率为2.35×10-2 cm2V-1s-1。光电探测器性能测试表明该器件在300~600 nm光谱范围内有良好的响应,且在一定条件下,In2S3纳米线光电探测器的光谱响应率、外量子效率以及比探测率为分别达到6.8×105A/W、2.01×108%以及1.62×1014 Jones。(3)在柔性衬底上,制作了基于单根In2S3纳米线的光电探测器,重点研究了In2S3纳米线在柔性光电探测方面的应用潜力。在与硅基器件相同条件下,其光谱响应率为7.35×104 A/W,外量子效率为2.28×107%,比探测率为2.4×1014 Jones。此外,柔性器件的开关比高达106,光电响应时间小于10 ms。柔性性质测试中,在不同弯折角度以及弯折次数下,该柔性器件仍保持了与弯折前基本一致的性质,并在长时间放置后没有出现性能衰减,表现了很好的稳定性。这一系列测试证明了In2S3纳米线在高性能柔性光电探测方面具有巨大的应用前景。