太阳能光伏发电技术是各国大力发展的可再生能源技术之一。晶体硅太阳电池是光伏产业的主流,其发展方向仍是提高光电转换效率和降低生产成本。选择性发射极技术已被证明是有效提高太阳电池转化效率的方法之一,它可显著提高太阳电池的短波响应。太阳电池一般都必须通过胶封、层压等方式封装成平板式构造的太阳电池组件才投入使用。传统密封剂EVA因其中添加了抗紫外剂,在短波段光透射率下降,这大大减弱了选择性发射极太阳电池的优势。针对这一情况,研究可以替代密封剂EVA的高透光率封装材料成为一个迫切的课题。本文首先采用磷硅玻璃激光掺杂的方法实现选择性发射极单晶硅太阳电池的制备。接着在构建选择性发射极太阳电池组件光学模型的基础上,引入分贝概念,用分贝表示光能量在组件各部分材料中的损耗大小,将太阳电池组件中各因素对入射能量的影响表示为简单的和差关系,并在此基础上给出太阳电池组件的外量子效率和内量子效率定义式,使研究太阳电池组件中各部分封装材料对其光电转换效率的影响更加方便。最后,根据密封剂EVA和silicone的光透射率测量数据,计算了两种密封剂在280nm到1200nm波段范围内的吸收损耗；使用光谱响应测试仪分别测量了密封剂EVA和silicone封装的单片电池片在封装前后的量子效率,计算了两种密封剂在短波段300nm至500nm处为选择性发射极电池组件带来的短路电流密度的衰减。经比较得出,选择性发射极太阳电池组件使用密封剂silicone封装可提高其短波响应,即提高了量子效率。其研究结果对太阳电池组件的设计和制造具有重要参考价值。