氧化锌(ZnO)是一类高电子迁移速率且性能稳定的直接宽带隙半导体,且在一维纳米结构下表现出更优越的性能,因此在电子器件和光电子器件中存在广泛的应用前景。本文针对氧化锌一维纳米材料,重点对材料制备的合成方法及其紫外光电探测器件方面的应用进行深入研究,完成的主要工作及成果如下:采用水热沉积法,通过优化前驱体浓度、反应时间、添加剂种类等关键参量,在多种不同衬底表面生长制备了氧化锌纳米线;基于扫描电镜及电学测量仪器等平台完成了本文制得ZnO的纳米表面形貌表征、电学参量特征提取及其对比分析。采用光刻技术,在硅胶和聚二甲硅烷氧烷上实现了氧化锌纳米线阵列的生长制备,研究了其生长位置的调控方法;同时,采用氧化扩散工艺,在陶瓷衬底上生长制备出具超长尺寸的氧化线纳米线,其长径比可达400,为该类材料用于高灵敏度的光电探器研制提供了新方法。采用聚焦离子束制备了单根氧化锌纳米线的紫外光电导探测器件,完成了不同直径的单根氧化锌纳米线器件的性能参数测试与对比分析,测试结果表明:光暗电流比随着纳米线直径的减小而增强,并表现出更高的探测灵敏度。通过进一步改进,制备了具有垂直式结构的纳米线阵列紫外光电导探测器件,测试结果表明:相对单根氧化锌纳米线器件而言,阵列式的氧化锌纳米线器件的光暗电流提升289%,进一步增强了探测灵敏度。论文研究成果制备工艺简单,具有良好的应用前景。