本文主要研究热丝化学气相淀积(HFCVD)的实验操作以及其工艺参数对金刚石薄膜生长的影响。在此基础上,采用磁控溅射法进行ZnO薄膜的生长并分析实验参数的影响。整体分析ZnO/Diamond/Si多层膜的表面形貌、取向以及电学性能,讨论了其作为SAW器件基础薄膜的可能性。得到结论如下:1、碳源浓度和生长温度是影响金刚石薄膜生长的最主要因素。在碳源浓度逐渐增大的时,沉积速率也随着增大,但当碳源浓度过大时,金刚石薄膜表现在sp3含量上的品质却越来越差,膜层中石墨的含量显著增大;生长温度较低时,形核小且慢,薄膜生长较慢,生长温度过高会使得形核过快造成薄膜生长的不均匀,甚至出现硅基体表面的熔融现象。2、碳源浓度影响金刚石薄膜生长的取向:低碳源浓度时,热力学作用明显,(111)面比(100)面生长速率高;高碳源浓度时,动力学作用明显,(100)面比(111)面生长速率高。3、磁控溅射法生长ZnO薄膜的影响因素主要有以下几个:衬底温度主要影响ZnO薄膜生长的c轴取向与表面粗糙度;溅射功率主要影响ZnO薄膜生长的取向与生长速率;溅射压强和氩氧比主要是通过影响溅射粒子的数目和自由程等对薄膜的生长厚度产生影响。4、最终制备获得了质量较好的ZnO/Diamond/Si多层膜。金刚石膜的厚度和粗糙度能够满足声表面波传输的性能要求。经霍尔测试,ZnO层电阻率接近109?,其压电性能满足声表面波器件的性能要求。