聚合物膜修饰电极的制备及其对神经递质电化学行为的研究

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化学修饰电极(CME)是电分析化学中相当活跃的研究领域。它可以通过对电极表面的分子剪裁,给电极加以预定的功能,以便在其上有选择的进行所期望的反应。本文采用电聚合的方法来修饰电极,进而对神经递质进行电化学检测。论文具体的以设计、制备新型和高效的聚合物膜修饰电极为出发点,进行了多巴胺(DA)和肾上腺素(EP)等儿茶酚胺类神经递质的电化学检测研究工作,其主要研究内容如下: 1. 研究了吖啶红在玻碳电极上的电化学聚合及聚合物膜修饰电极的电化学特性,实验结果表明:该修饰电极对神经递质DA 的电化学氧化有明显的催化作用,使其氧化峰电位降低,峰电流显著增强。在pH 7.5 的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,DA 的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-7 1.0×10-4 mol L-1范围内呈线性关系。此修饰电极对抗坏血酸(AA)无明显响应,从而能有效地消除AA 对DA 测定的干扰。2. 研究了邻氨基苯甲酸修饰电极的制备及神经递质DA 在该聚合物薄膜修饰电极上的电化学行为。该聚合物膜能显著催化DA 的氧化。在选定条件下,DA 的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-7 1.0×10-5 mol L-1 和1.0×10-5 2.0×10-4 mol L-1 的范围内呈线性关系。利用聚氨基苯甲酸膜中带负电荷的羧酸根与AA 阴离子之间的排斥作用可消除其对DA 测定的影响,并可在修饰电极上对两者进行同时测定。此外,还对多巴酸的干扰进行了研究。3. 制备了聚对氨基苯磺酸修饰的玻碳电极,并利用循环伏安、示差脉冲和计时电流曲线研究了该聚合膜的性质,计算了DA 在膜内的扩散系数,并初步探讨了该膜的聚合机理。在AA 共存条件下,两者在修饰电极上的氧化峰电位分开可达204 mV。DA 的峰电流与其浓度在1.0×10-7 1.0×10-6 mol L-1,1.0×10-6 1.0×10-5 mol L-1和1.0×10-5 1.0×10-4 mol L-1的范围内呈线性关系,检测限为2.0×10-8 mol
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