在过去的几十年里，三族氮化物得到了大量的关注和开发，已经广泛应用于光电器件中，如发光二极管（LED）、激光二极管（LD)、紫外线（UV）探测器、太阳能电池、声表面波设备、高温和高频场效应晶体管（FET）、异质结双极晶体管（HBT）等。这些器件已经被应用到固态照明、全彩色显示、激光打印机、高密度信息存储和通信所需的电子设备、汽车引擎、航空电子等多个领域。照明器件的发光效率是衡量器件性能的重要指标。以LED为例，目前LED发光效率还存在很大的提升空间,特别是InGaN/GaN多量子阱LED。深入研究InGaN/GaN多量子阱LED内部发光机理对深化理论模型以及器件的发展都具有非常重要的意义。目前围绕如何提高InGaN/GaN量子阱及多量子阱LED的光提取效率的问题开展了大量工作。由于应变能导致量子阱中的能级发生迁移和分裂，进而使器件的发光波段更加丰富。本文在了解量子阱结构及其代表器件蓝光LED发展现状和工作原理的基础上，利用光谱分析手段,研究应变对量子阱的能级变化和压电极化的影响，主要内容如下：（1）详细介绍了量子阱和量子阱LED的工作原理以及结构类型，总结了量子阱和量子阱LED的研究进展与应用。介绍InGaN/GaN量子阱的生长原理，分析研究了现阶段的几种生长方法。（2）研究了一种Top-Down型InGaN/GaN量子阱纳米柱结构，通过微区光致发光谱（Micro-PL）和时间分辨光谱（TRPL）的测试方法，探求Top-Down结构纳米柱对材料中应变的调制作用，并通过显微拉曼（Micro-Raman）手段对异质结构中的应力变化进行表征。（3）研究了一种在器件上施加单轴应力的基于光致发光光谱（PL）和时间分辨光谱的测试方法，分析发光强度变化以探寻外加应力对材料内部应力的调制作用。LED上的应力由螺旋测微器施加，可以产生在平面内的张应力和应变。（4）应变下InGaN/GaN多量子阱LED结构光致发光的研究。主要包括不同应变下InGaN/GaN多量子阱LED光致发光的发光峰峰位和强度的变化以及寿命衰减的变化。