【摘 要】
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微通道板是二维电子倍增器,具有高增益、低功耗、长寿命等优点,广泛应用于微光夜视、光电倍增管、X射线探测等领域。本文研究了高分辨率硅微通道基体的制备技术,探讨了硅片的
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微通道板是二维电子倍增器,具有高增益、低功耗、长寿命等优点,广泛应用于微光夜视、光电倍增管、X射线探测等领域。本文研究了高分辨率硅微通道基体的制备技术,探讨了硅片的光刻工艺及其影响因素;介绍了硅的各向异性腐蚀机制,研究了硅诱导坑腐蚀技术;根据欧姆接触层制备的研究结果,对其工艺进行了优化;在不同条件下对硅微通道阵列的形貌进行了对比分析,研究了电化学腐蚀中温度、HF浓度对硅微通道形貌的影响,得出了最佳制备条件。高分辨率硅微通道电化学腐蚀加工机理及过程影响因素较多,工艺控制复杂,通过Comsol软件对硅微通道建模模拟,建立仿真模型,确定仿真求解的边界条件和主要参数,在已有文献的基础上,通过对电化学腐蚀情况的假设,给出了仿真求解结果。
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