在长时间加电工作的情况下,作为装备电子系统内部核心底层器件的半导体分立器件的某些参数将由于其性能退化发生一定的改变,进而导致其相应的工作特性也出现一定的退化,这将直接影响其工作的电路甚至整个装备电子系统的性能。因此,本课题针对半导体分立器件在长期加电工作状态下的性能退化情况开展研究,通过对其退化参数的测量获取其退化数据,对长期加电下的电子系统故障诊断与健康管理研究有重要的理论价值与实际应用意义。本文首先针对项目需求,对电子系统中某些常用的半导体分立器件,如快恢复整流二极管、稳压二极管、瞬态电压抑制二极管以及NPN型三极管、PNP型三极管等进行相应的退化机理分析并根据项目需求进一步分析待测器件各自的测量需求,确定被测器件对应的待测量退化参数,包括二极管的正向压降VF、反向漏电流IR、快恢复整流二极管特有的反向恢复时间t RR、稳压二极管特有的稳定电压VZ和瞬态电压抑制二极管特有的反向击穿电压VBR以及三极管的放大倍数h FE、集电极-发射极漏电流ICEO、导通时间ton和关断时间toff。然后,根据以上半导体分立器件的测量需求分析以及总体技术指标进行半导体分立器件退化参数测量系统总体方案的设计,并结合待测退化参数的精度要求进行系统的误差分配与系统的性能研究。接下来,在系统总体方案设计的基础上对系统进行更加详细的设计,即包括半导体分立器件退化参数测量电路设计、系统通信方式设计与信号转接模块设计在内的硬件设计,以及包括功能设计与界面设计在内的软件设计。然后,研制了半导体分立器件退化参数测量系统,并对系统进行调试与应用以及误差处理与修正,验证了本系统的性能。最后,使用本文设计的半导体分立器件退化参数测量系统对于被测器件进行相应退化参数的采集。本文研制的半导体分立器件退化参数测量系统可以为多种电子系统的核心底层半导体分立器件的可靠性研究提供相关的性能退化参数的数据,进而可以科学地预测其在长期加电工作下的状态与性能退化的趋势,对长期加电下的电子系统故障诊断与健康管理研究提供支撑。