硅材料价格低廉且毒性低,被广泛应用于显示和太阳能电池等领域。硅量子点材料还具有优异的光学性质,这使得硅量子点光学性质的研究具有重要价值。本论文针对硅量子点的制备及表面修饰对其光学性质的影响等问题展开了研究。主要结果如下:(1)利用电化学腐蚀方法制备了氢端硅量子点并研究其光学性质。结果表明,硅量子点尺寸分布均匀,在3-4 nm之间,且在469 nm有明显的荧光发射峰,但其荧光强度并不稳定,会随着存放时间加长而衰减。(2)通过对硅量子点表面氧化制备了SiO2修饰的硅量子点,发现随着氧化时间的增加,硅量子点尺寸逐渐变小,量子尺寸效应影响导致其荧光发射峰可蓝移至373 nm。(3)制备了羧基修饰的硅量子点并分析了发光性质的变化。红外光谱结果证明了羧基成功修饰在硅量子点表面,且修饰后其荧光发光峰会发生蓝移。