【摘 要】
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白光LED(Light Emitting Diode )由于其效率高、寿命长、体积小、易集成、驱动电压低、无污染等各种优点被誉为将要替代白炽灯的新一代照明光源。但是目前的白光LED主要由蓝
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白光LED(Light Emitting Diode )由于其效率高、寿命长、体积小、易集成、驱动电压低、无污染等各种优点被誉为将要替代白炽灯的新一代照明光源。但是目前的白光LED主要由蓝光泵浦YAG黄光荧光粉或由三基色LED合成白光而得,提高了封装和后期电路的制作成本,并且黄光荧光粉固有的“晕轮”效应使其不适合于室内照明,而直接出射白光的LED并不存在上述问题。本文主要对GaN LED进行了理论和实验研究,主要内容如下:(1)从理论上详细研究了应变、压电效应、库伦屏蔽效应等对AlGaInN量子阱LED的能带结构和自发发射谱的影响,确定了它们在GaN LED发光特性中的重要地位。并应用K?P method理论和自洽解法对量子阱组分、结构参数、不同注入载流子浓度比对发光光谱特性的影响进行了研究。为进一步的研究奠定了良好的理论基础。(2)应用能带理论和色度学相关知识对双有源区和三有源区直接出射白光的AlGaInN多量子阱LED的结构、组分进行设计和优化,并得到了显色指数在85以上,色温在5000K左右LED的量子阱的结构参数。对实际器件的制作具有一定的指导作用。(3)研究了LED的封装工艺,并进行了LED的封装。对封装的LED进行电光参数的测试分析,性能参数良好,LED的峰值波长、峰值功率等的变化趋势也与我们的理论计算基本一致。
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