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BaPb1-xBixO3(x=0.05-0.35)是在BaBi03母体的基础上用Pb对Bi位替代得到的超导体。该类超导体不带任何过渡金属元素,具有很好的化学稳定性,最佳掺杂时临界温度高达13K;且具有结构简单,导电性和超导电性各向同性,相干长度长等多种优点。与高温氧化物超导体相比,该类超导体超导发生在BiO2面。人们希望通过对其超导起源的研究来揭示高温超导电性的超导机理。本论文将在获得Bi位最佳掺杂的基础上,再开展Ba位掺杂工作。探讨Ca或La部分替代Ba对其超导电性的影响。在绪论中,首先介绍超导态的基本性质及其超导研究简史;然后介绍临界态模型,热激活磁通蠕动模型和磁通钉扎。最后介绍了BaPb1-xBixO3的超导特性及掺杂效应的研究进展。第二章主要介绍样品的制备方法以及物性测量的原理。第三章主要给出固相反应法制备的BaPb0.77Bi0.23O3-δ超导性质。结果表明,其超导转变温度为10.4K,转变宽度为0.2K。不同磁场下R-T曲线表明,所有曲线的低电阻部分符合热激活磁通蠕动模型;有效钉扎能符合Ueff=U(0)exp(-0.48H)关系。外推到OK的相干长度约为5.6nm。还测量了样品不同温度下的磁滞回线。根据Bean临界态模型计算出样品的临界电流密度和钉扎力密度。由钉扎力密度的磁场关系的标度函数讨论了该样品的磁通钉扎类型。第四章探讨了 Ca替代Ba对BaPb0.77Bi0.23O3-δ超导电性的影响。用固相反应法制备Ba1-yCayPb0.77Bi0.23O3-δ(y=0.0,0.025,0.05,0.075,0.1,0.2,0.3)的样品,并测量了各个组分的XRD谱及R-T曲线。结果表明,Ca替代Ba对临界温度影响很大。掺杂量y=0.1时,零电阻温度接近2K。我们还分别测量了Ba0.975Ca0.025Pb0.77Bi0.23O3-δ和Ba0.925Ca0.075Pb0.77Bi0.23O3-δ 样品在不同磁场下的R-T曲线。结果表明,两个样品表现出不同的行为。对于Ba0.975Ca0.025Pb0.77Bi0.23O3-δ样品表现出正常情况下的掺杂对超导电性的抑制效应。但对于Ba0.925Ca0.075Pb0.77Bi0.23O3-δ样品,磁场对超导电性的抑制十分剧烈。100G的磁场下直到2K也没有测到零电阻。随着磁场的增加,超导电性很快消失。当磁场高于0.2T,在低于临界温度区出现负磁阻效应。低温下的R-H曲线表明,低场区电阻随磁场增加而增大,高场区电阻随磁场增加反而降低,表现出负磁阻行为。第五章研究了 La替代Ba对BaPb0.77Bi0.23O3-δ样品超导电性的影响。用固相反应法制备Ba1-zLazPb0.77Bi0.2303-δ(z=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)样品,并测量了XRD谱及R-T曲线。结果表明,La替代Ba对BaPb0.77Bi0.23O3-δ样品临界温度的影响比较缓慢。La掺杂量达到0.5,零电阻温度仍有5K。同样,我们选取Ba0.9La0.1Pb0.77Bi0.23O3-δ样品和Ba0.7La0.3Pb0.77Bi0.23O3-δ 样品,分别测量了它们不同磁场下的R-T曲线。比较了掺杂量对样品的H-T关系及有效钉扎势的影响。最后,我们比较了两种元素掺杂对BaPb0.77Bi0.23O3-δ样品超导电性的影响。第六章进行了全文总结。