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第二代YBCO高温超导带材具有更高的临界电流密度和更优的高场下性能,使其成为最具发展应用前景的超导带材,为各国所广泛关注。而在柔性的NiW合金基带上进行YBCO薄膜的生长,必须解决超导层与金属基带的晶格失配和互扩散问题。因此,高质量缓冲层的制备就成为了YBCO带材发展的关键。由于磁控反应溅射具有工艺简单、易于操作等特点,本论文使用直流磁控反应溅射法在Ni-5at.%W合金基带上进行三层缓冲层Y_2O_3/YSZ/CeO_2(YYC)的研究制备。具体内容如下:1、采用直流磁控反应溅射方法制