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石墨烯具有极为优异的力学、热学和电子学特性,但其固有的“零带隙”特点限制了它在微纳电子学中的应用,虽然可以通过化学掺杂、化学吸附或引入空位缺陷等方式让石墨烯具有微小带隙,但带隙的大小难以调控。因此人们将目光投向了硅烯、锗烯以及过渡金属硫族化合物等其它的二维材料。本文基于第一性原理并借助Materials Studio计算软件,对本征石墨烯、硅烯和锗烯的电子结构与光电特性进行了对比分析,研究了单原子空位对石墨烯电学特性与光学特性的影响,轻原子(B、C、Al、P)掺杂硅烯与双层硅烯的能带结构与光电特性,