由于硅是间接带隙半导体,T=0K时,带隙宽度Eg=1.17eV,T=300K时,带隙宽度Eg=1.14eV,其导带底和价带顶位于波矢量空间的不同位置,在满足动量守恒的条件下,只有借助声子作用才能实现间接带隙半导体跃迁发光。但一维硅纳米线具有高表面活性和量子限制效应,可获得较强的发光,因而硅纳米线的研究极为重要。本论文利用选择性刻蚀方法,采用湿法化学刻蚀法制备硅纳米阵列结构,讨论了生长时间、氢氟酸浓度、硝酸银溶液浓度、反应温度对硅纳米线形貌的影响,以及对硅纳米线Raman光谱的影响。通过分析不同条件下制备的硅纳米线的SEM图像,当反应温度为50℃,5mol/L氢氟酸,0.02mol/L AgNO₃溶液,且氢氟酸与硝酸银的体积比V（HF）:V（ AgNO 3）=1:4,生长1h以后制备的硅纳米线形貌最好,形成了典型的纳米线阵列结构,纳米线长度为30微米左右,直径为15-50nm。样品的Raman主峰位于519.2 cm^-1 ,半高宽为3.1 cm^-1。高氢氟酸浓度和高生长温度生长的硅纳米线,由于样品中存在大量的缺陷,造成硅纳米线中声子频率变化,导致声子寿命减小,谱线的半高宽增大,从而观察到5.5mol/L氢氟酸生长的样品具有高达7.6 cm^-1谱线半高宽以及75℃生长的样品具有高达5.7 cm^-1的谱线半高宽。