由于环境保护意识的不断加强，近年来磁制冷技术和相关材料的研究成为制冷领域的研究热点。其中对铁磁性半Heusler合金磁卡效应的研究主要集中在Ni-Mn-Ga，Ni-Mn-In和Ni-Mn-Sn三个体系中。本文系统地研究了铁磁性半Heusler形状记忆合金Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)的磁性、磁卡效应及磁电阻，在室温附近得到了大的磁卡效应和磁电阻。　　 本文采用磁控电弧熔炼法和真空退火法制备了半Heusler形状记忆合金Ni50-xMn38+xSb12(x =-1，0，1，2)系列样品。通过X射线衍射分析了样品的晶体结构及晶格常数。用超导量子干涉仪(SQUID)、物理性能测试仪(PPMS)等设备测量样品的磁性和磁电阻。系统的研究了这一系列合金的磁性、磁卡效应和磁电阻效应。　　 X射线衍射分析显示Ni50-xMn38+xSb12(x =-1，0，1，2)系列合金均为单相；各样品均具有两个相变，低温为马氏体结构相变，高温为从铁磁性到顺磁性的转变。　　 Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)合金中产生了大的磁卡效应。在278 K，磁场变化5 T时，Ni49Mn39Sb12最大磁熵变 达到21.68 J/kg?K。这一数值超过了传统的Gd5(Si2Ge2)(18 J/kg?K)。　　 Ni50-xMn38+xSb12 (x =-1，0，1，2)合金的电阻率在马氏体结构转变处发生突变，这种突变是由马氏体?奥氏体的转变引起的。X =-1时，出现了由负到正的磁电阻变化。最大的负的磁电阻为-12[％]。对于其他两个合金x =0与x =2来说，在高温(奥氏体)与低温(马氏体)均出现了正的磁电阻，分别为16.3[％]与10.7[％]。有关正的磁电阻与从正到负的磁电阻的产生机制仍在探讨中。