背接触式太阳能电池是一种典型的高效硅光电池,其将正、负电极集成于电池背面,解决了电极对光遮挡造成的光学损失,但增加了电池的工艺步骤和制备成本。为了减少制备成本,本论文提出并研究背点接触式电池。金属接触采用点接触减少了金属与半导体的接触面积,减小了金属-半导体高复合区域的面积,而且背点接触式电池只需要进行一次高温掺杂,制备工艺简单,成本低,对发展背接触式电池具有重要的意义。本文主要研究内容如下:首先,分析了影响太阳能电池性能的光学损失和电学损失,提出了改进的方法。针对光学损失可采用全背式结构解决正面电极遮挡损失、在受光面沉积减反膜或者制备陷光结构减少反射损失;针对电学损失可采用在电池受光面沉积钝化膜减少表面复合损失。然后,利用半导体仿真软件TCAD建立背点接触式薄膜硅光电池的物理模型,分析了硅吸收层厚度对太阳能电池性能的影响,说明了薄膜硅电池的优势。模拟分析了P、N区电极接触宽度、P接触打孔深度以及N区掺杂时间等因素对背点接触式薄膜硅光电池性能的影响,得到最优的电池结构参数和工艺参数。接着,研究了背点接触式薄膜硅光电池的制备工艺,分别介绍了高温扩散、热氧化、光刻、湿法腐蚀、结深测量、电子束蒸发、干法刻蚀以及退火等工艺的原理和具体工艺条件。根据仿真优化的电池参数,优化制备工艺并制备出背点接触式硅光电池,并将电池减薄至10μm。最后,研究了背点接触式电池的性能,经过退火处理,200μm硅电池的转换效率为10.48%。然后介绍了Si₃N₄减反膜的制备方法,并在10μm薄膜硅电池的受光面沉积Si₃N₄减反膜,得到薄膜电池效率6.34%。